半導体製造工程向けアプリケーション

半導体製造工程おいてのSensofar製品による測定（3D寸法、膜厚、粗さ、欠陥検出）

SiC(シリコンカーバイト、炭化ケイ素）ウエハの特性評価

炭化ケイ素（Si-C）ウエハは卓越した電気特性・熱特性を持っており、5Gチップのような特定のアプリケーションにおいて不可欠な材料です。製造にはCVD（Chemical Vapor Deposition）が使用されているため、表面仕上げを評価することで、格子の形成が均質であるかどうかを把握することができます。SensoVIEWの高さ、ハイブリッド、空間パラメータにより、十分に結晶の特性評価を行うことができます。
 

 

エッチング回路での段差測定

エッチング工程の後、パターンの高さを評価します。Step height（段差）SensoPROプラグインは、解析するパターンに依らず、2つの高さレベルを直ちに認識します。光干渉法を使用することにより最高の測定精度を実現します。
 
Step height（段差）SensoPROプラグインは表面上に存在する一つの段差を解析します。標準的な段差だけでなく、あらゆる段差の解析が可能です。

3Dクロスカーフ (交差した切削痕の3次元での測定）

チップの切り出し工程では、工程で主に2つの寸法の確認が必要です。底面にダメージがないことを確認するための高さ寸法。切断の質を評価するための幅寸法です。Cross kerf（切削痕） SensoProプラグインは、ウェハの傾きが取得データに影響を与えないように表面を水平にし、交差部分を検出しパラメータを取得します。これらの高アスペクト比の寸法の測定は非常に困難ですが、Ai焦点移動であれば測定可能です。
 
Cross kerf（切削痕）SensoProプラグインはウエハ上に加工されたクロス状のカーフ（切削痕）の解析に使用いただけます。

パッシベーション層での穴の測定

パッシベーション層の穴は、チップ上のワイヤ ボンディングの接続を決定づけます。Hole （穴） SensoProプラグインは、直径50μmから2mmまでを測定することが可能です。
 
Hole（穴） SensoPROプラグインは個別の穴やパターン状の穴の構造（ビア）の解析することができます。

ホール内の薄膜測定

S neoxの分光反射率での膜厚・薄膜測定は、スポットサイズは最小3μm。極めて直径が小さい穴の中まで測定が可能です。